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Vishay

Vishay Mosfet, Canale N, 1,44 Ω, 4,1 A, Ipak (TO-251), Su Foro

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 1,44 Ω, 4,1 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 62,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 11 nC a 10 V, Larghezza: 2.38mm, MPN: SIHU4N80AE-GE3

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