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Toshiba Mosfet, Canale P, 9,4 MΩ, 60 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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RS Components
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Prezzi aggiornati
Specifiche
MarcaToshiba
CondizioneNuovo
Descrizione
Toshiba MOSFET, canale P, 9,4 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +10 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: TJ60S04M3L

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