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Vishay

Vishay Mosfet, Canale N, 540 MΩ, 4,3 A, Ipak (TO-251), Su Foro

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RS Components
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Prezzi aggiornati
Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4,3 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Carica gate tipica @ Vgs: 6,1 nC a 5 V, Larghezza: 2.38mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: IRLU110PBF

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