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Infineon Mosfet, Canale P, 6,8 MΩ, 70 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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RS Components
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Prezzi aggiornati
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 6,8 mΩ, 70 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.41mm, MPN: IPD042P03L3G

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