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Infineon Mosfet, Canale N, 150 MΩ, 17 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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RS Components
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Prezzi aggiornati
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 150 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: HEXFET, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 79 W, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 34 nC a 5 V, Larghezza: 6.22mm, MPN: IRLR3410TRLPBF

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