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Vishay Mosfet, Canale N, 540 MΩ, 4,3 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 8,3 nC a 10 V, Larghezza: 6.22mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: IRFR110PBF

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