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Toshiba Mosfet, Canale N, 4,3 MΩ, 65 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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1692,00€
RS Components
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Prezzi aggiornati
Specifiche
MarcaToshiba
CondizioneNuovo
Descrizione
Toshiba MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 65 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 107 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 39 nC a 10 V, Larghezza: 7mm, MPN: TK65S04N1L

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